超47亿件快递“跑”出山东好品新市场

time:2025-07-04 01:48:14author: adminsource: 创新电力工程有限公司

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市场图4  与磁场相关的氮化铌薄膜超导特性。文献链接UltrathinepitaxialNbNsuperconductingfilms withhighuppercriticalfieldgrownatlow temperature.MaterialsResearchLetters,9:8,336-342.(https://doi.org/10.1080/21663831.2021.1919934)背景信息氮化铌(NbN)超导薄膜因其相对较高的超导转变温度(Tc),超4出山以及优异的临界电流密度-磁场(Jc-H)特性被广泛应用于多种电子设备中,超4出山比如超导纳米线单光子探测器(SNSPD)及超导Josephson结。该文并探讨了其超导转变温度,递l东好上临界磁场强度,不可逆磁场强度,超导相干长度等物理特性与其薄膜厚度的密切关系。

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 研究表明,跑r品新氮化铌薄膜的超导特性不仅与其本身膜的厚度有关,还与薄膜沉积过程中所应用的沉积方法以及沉积温度密切相关。市场(b)不同磁场强度下(0-7T)厚度为5纳米的氮化铌薄膜的电阻率-温度特性曲线。

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超4出山图3  超导转变温度以及转变宽度与薄膜厚度的关系。

结果介绍在本文中,递l东好美国应用材料公司MingweiZhu团队和布法罗大学QuanxiJia教授团队展开合作,递l东好利用磁控反应溅射技术,成功在较低的温度下(400摄氏度)制备出了高质量超薄(5-50纳米)外延生长的氮化铌超导薄膜。总结该工作实现了比较低温条件下晶片规模尺寸的氮化铌薄膜的外延生长,跑r品新并深入探讨了氮化铌超导薄膜的超导特性与薄膜厚度的密切关系。

市场(c)和(d):5纳米和50纳米薄膜的上临界磁场以及不可逆磁场强度对于温度的关系。超4出山重要的是晶片规模尺寸高质量超导膜可以使用应用材料公司的Endura®300-mmImpulse™PVD物理气相沉积设备来制备。

因此为了优化氮化铌薄膜在特定应用方面的性能,递l东好研究其生长-结构-性质之间的关系至关重要。跑r品新右上角插图为氮化铌晶格常数以及(111)衍射峰的半高宽与其厚度的关系。